Doprava zadarmo s Packetou nad 59.99 €
Pošta 4.49 €
SPS 4.99 €
Kuriér GLS 3.99 €
Zberné miesto GLS 2.99 €
Packeta kurýr 4.99 €
Packeta 2.99 €
SPS Parcel Shop 2.99 €
Ako nakupovať
Pomoc
Doručenie
Pošta 4.49 €
SPS 4.99 €
Kuriér GLS 3.99 €
Zberné miesto GLS 2.99 €
Packeta kurýr 4.99 €
Packeta 2.99 €
SPS Parcel Shop 2.99 €
Doprava zadarmo s Packetou nad 59.99 €
Nákupný poradca
Sme tu pre Vás!
02/210 210 99
Môj účet
Staňte sa súčasťou komunity milovníkov kníh z celého sveta a získajte hromadu výhod.
Založiť účet zdarma
▸
Prázdny :-(
0
Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Kniha
Brožovaná
Discusses silicon oxidation in a tutorial fashion from both experimental and theoretical viewpoints....
Celý popis
Libristo kód: 06616699
?
290 b
290 b
114.37
€
Skladom u dodávateľa v malom množstve
Odosielame za 12-15 dní
30 dní na vrátenie tovaru
Mohlo by vás tiež zaujímať
Discusses silicon oxidation in a tutorial fashion from both experimental and theoretical viewpoints. The authors report on the state of the art both at Lucent Technology and in academic research. The book will appeal to researchers and advanced students.
Informácie o knihe
Celý názov
Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
Autor
Yves J. Chabal
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Väzba
Kniha - Brožovaná
Dátum vydania
2012
Počet strán
262
EAN
9783642625831
ISBN
9783642625831
Libristo kód
06616699
Nakladateľstvo
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
Váha
433
Rozmery
155 x 235 x 16
