Nehodí sa? Žiadny problém! U nás môžete do 30 dní vrátiť
S darčekovým poukazom nešliapnete vedľa. Obdarovaný si za darčekový poukaz môže vybrať čokoľvek z našej ponuky.
30 dní na vrátenie tovaru
Abstract: A process-based model (UFET) for deep-submicron bulk-silicon MOSFETs is developed and verified with numerical device simulations and measured data. The charge-based model is physical with accountings for the predominant short-channel (e.g., c