Doprava zadarmo s Packetou nad 59.99 €
Pošta 4.49 SPS 4.99 Kuriér GLS 3.99 Zberné miesto GLS 2.99 Packeta kurýr 4.99 Packeta 2.99 SPS Parcel Shop 2.99

Physical MOSFET Model Applicable to Extremely Scaled CMOS IC Design

Jazyk AngličtinaAngličtina
Kniha Brožovaná
Kniha Physical MOSFET Model Applicable to Extremely Scaled CMOS IC Design DOUGLAS WEISER
Libristo kód: 22569069
Nakladateľstvo Dissertation Discovery Company, máj 2019
Abstract: A process-based model (UFET) for deep-submicron bulk-silicon MOSFETs is developed and veri... Celý popis
? points 171 b
67.99
Skladom u dodávateľa Odosielame za 9-12 dní

30 dní na vrátenie tovaru


Mohlo by vás tiež zaujímať


AI and UX Gavin Lew / Brožovaná
common.buy 36.92
Energized Workplace Perry Timms / Brožovaná
common.buy 42.77
The Inconvenient Widow Jennifer Reinoehl / Brožovaná
common.buy 9.07
The Four Georges William Makepeace Thackeray / Brožovaná
common.buy 26.83
Lanfeust Odyssee. Band 7 Christophe Arleston / Pevná
common.buy 13.91
L'attention Elisabeth / Brožovaná
common.buy 12.70
DESARROLLO ECONOMIA SOCIAL KALECKI / Kniha
common.buy 5.94

Abstract: A process-based model (UFET) for deep-submicron bulk-silicon MOSFETs is developed and verified with numerical device simulations and measured data. The charge-based model is physical with accountings for the predominant short-channel (e.g., c

Informácie o knihe

Celý názov Physical MOSFET Model Applicable to Extremely Scaled CMOS IC Design
Jazyk Angličtina
Väzba Kniha - Brožovaná
Dátum vydania 2019
Počet strán 210
EAN 9780530007960
ISBN 0530007967
Libristo kód 22569069
Váha 499
Rozmery 216 x 279 x 11
Darujte túto knihu ešte dnes
Je to jednoduché
1 Pridajte knihu do košíka a vyberte možnosť doručiť ako darček 2 Obratom Vám zašleme poukaz 3 Knihu zašleme na adresu obdarovaného

Prihlásenie

Prihláste sa k svojmu účtu. Ešte nemáte Libristo účet? Vytvorte si ho teraz!

 
povinné
povinné

Nemáte účet? Získajte výhody Libristo účtu!

Vďaka Libristo účtu budete mať všetko pod kontrolou.

Vytvoriť Libristo účet